Številka izdelka proizvajalca:
IPN70R1K5CEATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPN70R1K5CEATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Zaloga:
12801269
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPN70R1K5CEATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
225 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-3
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IPN70R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPN70R1K5CEATMA1DKR
IPN70R1K5CEATMA1TR
SP001458794
IPN70R1K5CEATMA1CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
IPP052NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
