Številka izdelka proizvajalca:
IPN70R450P7SATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPN70R450P7SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Zaloga:
802 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804122
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPN70R450P7SATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
450mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 120µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
424 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
7.1W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IPN70R450
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPN70R450P7SATMA1TR
SP001664926
IPN70R450P7SATMA1-DG
INFINFIPN70R450P7SATMA1
2156-IPN70R450P7SATMA1
IPN70R450P7SATMA1CT
IPN70R450P7SATMA1DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFS4610TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
