Številka izdelka proizvajalca:
IPN95R3K7P7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPN95R3K7P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Zaloga:
13762 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802721
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPN95R3K7P7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 40µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
196 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
6W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IPN95R3
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPN95R3K7P7ATMA1CT
IPN95R3K7P7ATMA1TR
SP001792330
IPN95R3K7P7ATMA1DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
IRFR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
