Številka izdelka proizvajalca:
IPP026N10NF2SAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP026N10NF2SAKMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V
Podroben opis:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 184A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
1510 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12954567
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP026N10NF2SAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
StrongIRFET™ 2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Ta), 184A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 169µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7300 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP026N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP005548847
448-IPP026N10NF2SAKMA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFC9140NB
MOSFET 100V 23A DIE
SI4654DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO
IRF9530L
MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK
