Številka izdelka proizvajalca:
IPP039N04LGHKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP039N04LGHKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12803303
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP039N04LGHKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 45µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP039N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000391494
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPP039N04LGXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
459
ŠTEVILKA DELA
IPP039N04LGXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.50
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3