Številka izdelka proizvajalca:
IPP040N06N3GHKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP040N06N3GHKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12801070
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP040N06N3GHKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11000 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
188W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP040N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000398032
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPP040N06N3GXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
145
ŠTEVILKA DELA
IPP040N06N3GXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.84
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
IPD50P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3