Številka izdelka proizvajalca:
IPP200N15N3GXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP200N15N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
10256 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803287
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP200N15N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1820 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP200
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPP200N15N3G
IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-DG
SP000680884
IPP200N15N3GXKSA1-DG
448-IPP200N15N3GXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
