Številka izdelka proizvajalca:
IPP60R090CFD7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP60R090CFD7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
476 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802982
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP60R090CFD7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
90mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 570µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2103 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP60R090
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001686050
2156-IPP60R090CFD7XKSA1
IFEINFIPP60R090CFD7XKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPA60R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
