Številka izdelka proizvajalca:
IPP60R099P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP60R099P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
1904 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803485
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP60R099P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 530µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1952 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
117W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP60R099
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPP60R099P7XKSA1-DG
448-IPP60R099P7XKSA1
SP001647032
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
