Številka izdelka proizvajalca:
IPP60R170CFD7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
425 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804664
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP60R170CFD7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1199 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
75W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP60R170
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPP60R170CFD7XKSA1
SP001617974
2156-IPP60R170CFD7XKSA1
IPP60R170CFD7
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
IRFH7004TR2PBF
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
IRFU3704ZPBF
MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
