Številka izdelka proizvajalca:
IPP65R045C7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP65R045C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
199 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13064048
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP65R045C7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ C7
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
46A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1.25mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4340 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP65R045
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000929422
IPP65R045C7XKSA1-ND
448-IPP65R045C7XKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR4105Z
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPN65R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
IRFP4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC
