Številka izdelka proizvajalca:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12978134
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP65R050CFD7AAKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
*
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
45A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.24mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4975 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP65R050
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPWS65R050CFD7AXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
81
ŠTEVILKA DELA
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
CENA ENOTE
6.44
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
