Številka izdelka proizvajalca:
IPP65R095C7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP65R095C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
362 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804855
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP65R095C7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2140 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
128W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP65R095
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001080122
2156-IPP65R095C7XKSA1
INFINFIPP65R095C7XKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6616TR1
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
