Številka izdelka proizvajalca:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP65R190CFD7AAKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12948578
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP65R190CFD7AAKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 320µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1291 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
77W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP65R190
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPP65R190CFD7AAKSA1
SP005399500
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
IPDD60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10