Številka izdelka proizvajalca:
IPP65R660CFDAAKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP65R660CFDAAKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12805071
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP65R660CFDAAKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
543 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
62.5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP65R
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000875802
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP12NK80Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
707
ŠTEVILKA DELA
STP12NK80Z-DG
CENA ENOTE
1.56
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP11N65M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1996
ŠTEVILKA DELA
STP11N65M2-DG
CENA ENOTE
0.67
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
IRFR3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
