Številka izdelka proizvajalca:
IPP80N04S2H4AKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP80N04S2H4AKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
12804788
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP80N04S2H4AKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP80N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPP80N04S2H4AKSA2-IT
SP001061288
INFINFIPP80N04S2H4AKSA2
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP80N06S4L07AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPP50CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3
IPB60R230P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
