Številka izdelka proizvajalca:
IPP80P03P4L04AKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP80P03P4L04AKSA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
829 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948679
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP80P03P4L04AKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS®-P2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 253µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
137W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP80P03
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP002325792
448-IPP80P03P4L04AKSA2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
DMNH4011SK3-13
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
