Številka izdelka proizvajalca:
IPP80R280P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP80R280P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
483 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12809136
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP80R280P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 360µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1200 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
101W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP80R280
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001422724
2156-IPP80R280P7XKSA1
IFEINFIPP80R280P7XKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7452TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
IRFR2607ZPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRF1902PBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
