Številka izdelka proizvajalca:
IPS135N03LGAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPS135N03LGAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Zaloga:
12803268
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPS135N03LGAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
31W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3-11
Paket / Primer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPS135N03LGIN-DG
SP000788220
SP000257455
IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGXK
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
