Številka izdelka proizvajalca:
IPS60R360PFD7SAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
832 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12810871
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPS60R360PFD7SAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™PFD7
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 140µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
534 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
43W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPS60R
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPU95R450P7AKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPU95R450P7AKMA1-DG
CENA ENOTE
0.98
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
IPAN60R360PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
