Številka izdelka proizvajalca:
IPS65R1K0CEAKMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPS65R1K0CEAKMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Zaloga:
12805312
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPS65R1K0CEAKMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CE
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
328 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3-342
Paket / Primer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Osnovna številka izdelka
IPS65R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPS65R1K0CEAKMA2
SP001724356
IPS65R1K0CEAKMA2-DG
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPS70R1K4P7SAKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
CENA ENOTE
0.18
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
IRF3704SPBF
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK