Številka izdelka proizvajalca:
IPS70R360P7SAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
2881 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806092
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPS70R360P7SAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
517 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
59.5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPS70R360
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPS70R360P7SAKMA1
SP001499712
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IPP80N04S404AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFB4310GPBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB