Številka izdelka proizvajalca:
IPSA70R1K4CEAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPSA70R1K4CEAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
12805101
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPSA70R1K4CEAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
225 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
53W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPSA70
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001605398
2156-IPSA70R1K4CEAKMA1
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPSA70R1K4P7SAKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPSA70R1K4P7SAKMA1-DG
CENA ENOTE
0.24
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3706
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRF3711STRR
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IPP076N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
