Številka izdelka proizvajalca:
IPT012N08N5ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPT012N08N5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Podroben opis:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Zaloga:
4930 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803217
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPT012N08N5ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
300A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 280µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
17000 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HSOF-8-1
Paket / Primer
8-PowerSFN
Osnovna številka izdelka
IPT012
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPT012N08N5ATMA1TR
IPT012N08N5ATMA1DKR
SP001227054
IPT012N08N5ATMA1CT
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPT043N15N5ATMA1
MV POWER MOS
IRFR2607ZTRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
MIC94052BC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
