IPT65R190CFD7XTMA1
Številka izdelka proizvajalca:

IPT65R190CFD7XTMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IPT65R190CFD7XTMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Podroben opis:
N-Channel 650 V Surface Mount TOLL

Zaloga:

12974540
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IPT65R190CFD7XTMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CFD7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
-
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
-
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TOLL
Paket / Primer
8-PowerSFN

Dodatne informacije

Druga imena
448-IPT65R190CFD7XTMA1TR
SP005537513
Standardni paket
2,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
harris-corporation

RF1S45N02L

45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO

goford-semiconductor

G3035

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

onsemi

NVD360N65S3T4G

SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK

onsemi

NVB260N65S3

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO