Številka izdelka proizvajalca:
IPU95R3K7P7AKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPU95R3K7P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
527 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803175
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPU95R3K7P7AKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 40µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
196 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
22W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPU95R3
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPU95R3K7P7AKMA1
SP001792320
IFEINFIPU95R3K7P7AKMA1
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3315LPBF
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
BTS244ZNKSA1
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3
IRFZ44NL
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
