Številka izdelka proizvajalca:
IPW60R060P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW60R060P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Zaloga:
60 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12818659
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW60R060P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
48A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 800µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2895 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
164W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW60R060
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPW60R060P7XKSA1
ROCINFIPW60R060P7XKSA1
SP001647042
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR18N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRF6648TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
IRF9520NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
