Številka izdelka proizvajalca:
IPW60R070CFD7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Zaloga:
1513 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13064163
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW60R070CFD7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD7
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
70mOhm @ 15.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 760µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2721 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-21
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW60R070
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001617990
IPW60R070CFD7
448-IPW60R070CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1-ND
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
