Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPW60R125P6XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW60R125P6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12804111
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW60R125P6XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 960µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2660 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
219W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW60R125
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
HTML tehnični list
IPW60R125P6XKSA1-DG
Tehnični listi
IPW60R125P6XKSA1
Dodatne informacije
Druga imena
ROCINFIPW60R125P6XKSA1
SP001114656
2156-IPW60R125P6XKSA1
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK28N65W,S1F
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
30
ŠTEVILKA DELA
TK28N65W,S1F-DG
CENA ENOTE
2.69
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STW30N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
573
ŠTEVILKA DELA
STW30N65M5-DG
CENA ENOTE
3.03
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTH32N65X
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTH32N65X-DG
CENA ENOTE
5.96
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD65R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET