Številka izdelka proizvajalca:
IPW65R080CFDAFKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Zaloga:
493 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801391
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW65R080CFDAFKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
43.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.76mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4440 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
391W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW65R080
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPP037N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
