Številka izdelka proizvajalca:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Podroben opis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Zaloga:
12945086
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW65R115CFD7AXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
*
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 490µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1950 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
114W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-41
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW65R115
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
