Številka izdelka proizvajalca:
IPW65R190C7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW65R190C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Zaloga:
220 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12805488
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW65R190C7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 290µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1150 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
72W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW65R190
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPW65R190C7XKSA1
SP001080142
INFINFIPW65R190C7XKSA1
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRFB7437GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
