Številka izdelka proizvajalca:
IPW65R190CFDFKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPW65R190CFDFKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Zaloga:
278 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12822822
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPW65R190CFDFKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1850 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
151W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-41
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IPW65R190
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001987376
IPW65R190CFDFKSA2-DG
448-IPW65R190CFDFKSA2
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL3705NPBF
MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
IXFT94N30T
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
IRFU13N15D
MOSFET N-CH 150V 14A IPAK
