IPW65R230CFD7AXKSA1
Številka izdelka proizvajalca:

IPW65R230CFD7AXKSA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IPW65R230CFD7AXKSA1-DG

Opis:

650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Podroben opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Zaloga:

2 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12973379
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IPW65R230CFD7AXKSA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
230mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 260µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1044 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
63W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3
Paket / Primer
TO-247-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
448-IPW65R230CFD7AXKSA1
SP003793176
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
taiwan-semiconductor

TSM60NC390CI C0G

600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

infineon-technologies

IPD60R1K0PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3

infineon-technologies

IPDQ60R055CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

panjit

PJD16P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M