IPZ65R065C7XKSA1
Številka izdelka proizvajalca:

IPZ65R065C7XKSA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IPZ65R065C7XKSA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Podroben opis:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

Zaloga:

235 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807182
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IPZ65R065C7XKSA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 850µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3020 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
171W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-4
Paket / Primer
TO-247-4
Osnovna številka izdelka
IPZ65R065

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IPZ65R065C7

Dodatne informacije

Druga imena
2156-IPZ65R065C7XKSA1
SP001080120
INFINFIPZ65R065C7XKSA1
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRLZ34NPBF

MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB

infineon-technologies

IRFH8201TRPBF

MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN

microchip-technology

TP2540N3-G-P002

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3

infineon-technologies

IRF3711ZS

MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK