Številka izdelka proizvajalca:
IPZ65R095C7
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPZ65R095C7-DG
Opis:
IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Zaloga:
12946860
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPZ65R095C7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2140 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
128W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-4-1
Paket / Primer
TO-247-4
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPZ65R095C7
INFINFIPZ65R095C7
Standardni paket
73
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDPF5N50UT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRFZ44ZLPBF
IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
FQU9N25TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
