Številka izdelka proizvajalca:
IPZA60R180P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPZA60R180P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Podroben opis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Zaloga:
12852995
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPZA60R180P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 280µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1081 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
72W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-4
Paket / Primer
TO-247-4
Osnovna številka izdelka
IPZA60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPZA60R180P7
IFEINFIPZA60R180P7XKSA1
2156-IPZA60R180P7XKSA1
SP001707746
Standardni paket
240
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
IPAN80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
HAT2266H-EL-E
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
