Številka izdelka proizvajalca:
IQD016N08NM5CGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IQD016N08NM5CGATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Zaloga:
12943345
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IQD016N08NM5CGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Ta), 323A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.57mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 159µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9200 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TTFN-9-U02
Paket / Primer
9-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IQD016
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IQD016N08NM5CGATMA1CT
448-IQD016N08NM5CGATMA1DKR
448-IQD016N08NM5CGATMA1TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STO67N60DM6
MOSFET N-CH 600V 33A TOLL