Številka izdelka proizvajalca:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IQE013N04LM6CGSCATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-1
Zaloga:
5940 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001607
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IQE013N04LM6CGSCATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Ta), 205A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 51µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3800 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-WHTFN-9-1
Paket / Primer
9-PowerWDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR
SP005559058
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR
Standardni paket
6,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
JANSR2N7591U3
RH MOSFET _ U3
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
G04P10HE
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
