Številka izdelka proizvajalca:
IRF100B201
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF100B201-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
2527 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804128
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF100B201 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®, StrongIRFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
192A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 115A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9500 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
441W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF100
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IRF100B201
IFEINFIRF100B201
SP001561498
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF6633ATR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFS17N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
