Številka izdelka proizvajalca:
IRF100P218XKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF100P218XKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Podroben opis:
N-Channel 100 V 209A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Zaloga:
12804191
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF100P218XKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
StrongIRFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
209A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 278µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
555 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
25000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
556W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IRF100
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001619550
IRF100P218
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF100P218AKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IRF100P218AKMA1-DG
CENA ENOTE
4.17
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
IRF7707GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
IRL3715Z
MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
