Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF1010NPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF1010NPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
5624 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804523
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF1010NPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
85A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3210 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF1010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF1010NPbF
HTML tehnični list
IRF1010NPBF-DG
Tehnični listi
IRF1010NPBF
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF1010NPBF
SP001563032
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP76NF75
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
STP76NF75-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP60NF06L
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
994
ŠTEVILKA DELA
STP60NF06L-DG
CENA ENOTE
0.80
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMNH6008SCTQ
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
311
ŠTEVILKA DELA
DMNH6008SCTQ-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PHP191NQ06LT,127
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2279
ŠTEVILKA DELA
PHP191NQ06LT,127-DG
CENA ENOTE
1.38
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP80NF55-06
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
999
ŠTEVILKA DELA
STP80NF55-06-DG
CENA ENOTE
1.54
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
IRF7523D1
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
IPSA70R1K2P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3