Številka izdelka proizvajalca:
IRF1310NSTRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF1310NSTRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
10386 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12805610
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF1310NSTRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
42A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF1310
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001561422
IRF1310NSTRLPBF-DG
IRF1310NSTRLPBFTR
IRF1310NSTRLPBFDKR
IRF1310NSTRLPBFCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL5602SPBF
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRF5305STRRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF7457PBF
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
