Številka izdelka proizvajalca:
IRF3205STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF3205STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
5297 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12816120
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF3205STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3247 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF3205
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF3205STRLPBF-DG
SP001576758
IRF3205STRLPBFTR
IRF3205STRLPBFDKR
IRF3205STRLPBFCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IRFB7440GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
