IRF3415L
Številka izdelka proizvajalca:

IRF3415L

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRF3415L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Podroben opis:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12804539
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF3415L Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
43A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
42mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IRF3415S/L
HTML tehnični list
IRF3415L-DG
Tehnični listi
IRF3415L

Dodatne informacije

Druga imena
*IRF3415L
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRFR9120NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

infineon-technologies

IRFR3910TRL

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

infineon-technologies

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

infineon-technologies

IPD30N12S3L31ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+