Številka izdelka proizvajalca:
IRF3709S
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF3709S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
13064101
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF3709S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2672 pF @ 16 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF3709S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN4R3-30BL,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
9945
ŠTEVILKA DELA
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENA ENOTE
0.58
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN017-30BL,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1868
ŠTEVILKA DELA
PSMN017-30BL,118-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
