IRF3710ZSTRLPBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRF3710ZSTRLPBF

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRF3710ZSTRLPBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK

Zaloga:

18296 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803573
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF3710ZSTRLPBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
59A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF3710

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
IRF3710ZSTRLPBF-DG
SP001570170
IRF3710ZSTRLPBFTR
IRF3710ZSTRLPBFCT
IRF3710ZSTRLPBFDKR
Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRF9530NSTRRPBF

MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

infineon-technologies

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3

infineon-technologies

IRF3315L

MOSFET N-CH 150V 21A TO262

infineon-technologies

IRFH8321TRPBF

MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6