Številka izdelka proizvajalca:
IRF3711S
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF3711S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
12823575
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF3711S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2980 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF3711S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB80NF03L-04T4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
691
ŠTEVILKA DELA
STB80NF03L-04T4-DG
CENA ENOTE
1.90
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7452TR
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
BUK9C1R3-40EJ
MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
IXFH22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
