Številka izdelka proizvajalca:
IRF5210STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF5210STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Podroben opis:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
7933 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806520
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF5210STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2780 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF5210
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF5210STRLPBF-DG
IRF5210STRLPBFTR
SP001554020
IRF5210STRLPBFCT
IRF5210STRLPBFDKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
SPB35N10 G
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
IRF7832TR
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC