IRF5305L

Številka izdelka proizvajalca:

IRF5305L

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRF5305L-DG

Opis:

MOSFET P-CH 55V 31A TO262

Podroben opis:

P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

13064093

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

ODVh

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

IRF5305L Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Infineon Technologies

Pakiranje

-

Serije

HEXFET®

Pakiranje

Tube

Stanje dela

Obsolete

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

55 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

31A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

60mOhm @ 16A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

63 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1200 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

TO-262

Paket / Primer

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

*IRF5305L

Standardni paket

50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

RoHS non-compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

infineon-technologies

IRF7459PBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF3205ZSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFI7446GPBF

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP

infineon-technologies

IRF8714PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO